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2SK879-GR ((TE85L,F)

qualité [#varpname#] usine

2SK879-GR ((TE85L,F)

fabricant:

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (en anglais seulement)

Définition:

JFET N-CH 0,1 W USM

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:

USM

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Détails du produit

M. la partie #:

2SK879-GR ((TE85L,F)

Le stock:

6830

Catégorie de produits:

Transistors - JFET

Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

20,6 mA @ 10 V

Type de FET:

N-canal

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:

8.2pF @ 10V

Type de montage:

Monture de surface

Température de fonctionnement:

125°C (TJ)

Emballage / boîtier:

SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.

Puissance maximale:

100 mW

Statut du produit:

Actif

Tension - identification de la coupure (VGS) @:

Le débit de courant doit être de 400 mV @ 100 nA.

Description du produit

2SK879-GR ((TE85L,F) PRODUITS CONNEXES

qualité [#varpname#] usine

Les États membres doivent fournir les informations suivantes:

qualité [#varpname#] usine

Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.

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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.

qualité [#varpname#] usine

Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.

qualité [#varpname#] usine

Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes en ce qui concerne les droits de douane:

qualité [#varpname#] usine

Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention.

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Pour les appareils à commande numérique

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2N5458

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2SK23800QL: le produit de base de l'entreprise

qualité [#varpname#] usine

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Je vous en prie.215

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Le PMBFJ176,215

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