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RN1113 ((T5L,F,T)

qualité [#varpname#] usine

RN1113 ((T5L,F,T)

fabricant:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (en anglais seulement)
Définition:
Le système de régulation de la fréquence de l'appareil doit être conforme à la norme EN ISO/IEC 1704
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
MSS
Rapide RFP
En stock:
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Détails du produit
M. la partie #:
RN1113 ((T5L,F,T)
Le stock:
3000
Catégorie de produits:
Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique, pré-biasé
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Puissance maximale:
100 mW
Statut du produit:
Actif
Résistance - Base (R1):
47 kOhms
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Description du produit