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fabricant:
ROHM Semi-conducteur
Définition:
PNP, SOT-23, R1R2 ABSORPTION de fuite
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SST3
Rapide RFP
En stock:
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Détails du produit
M. la partie #:
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Le stock:
3000
Catégorie de produits:
Transistors - Bipolaire (BJT) - Unique, pré-biasé
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
33 @ 5mA, 5V
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Puissance maximale:
200 mW
Statut du produit:
Actif
Résistance - Base (R1):
kOhms 1
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
10 kOhms
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Description du produit